报告题目：高铝组分AlGaN材料的MOCVD外延生长研究进展

刘春俊（北京天科合达半导体股份有限公司，中国）

报告题目：碳化硅单晶生长研究及产业化进展

Won-Jae Lee（东义大学先进材料工程系，韩国）

报告题目：高品质4H-SiC晶体生长的改进工艺参数

Hiroshi Kanazawa（Showa Denko，日本）

Yasuto HIJIKATA（琦玉大学，日本）

报告题目：利用SiC晶体中的单光子源的室温电子可控量子器件