尚阳通是国内为数不多的专注于功率半导体IC设计的公司。功率器件领域长期以来都被国际大厂牢牢占据大部分市场，同时加上客户对功率器件的极其谨慎，中国本土企业进入该市场要比其他IC类别的门槛和难度都更高。如果技术和产品不能落地，公司谈不上生存和发展。
正是出于这一现状，尚阳通一开始就基于自己的平台，在产品的创新和定义上作了策略布局，配合应用市场和营销方式，抓住机遇，先切入了LED电源，再进入电视机电源、充电桩电源、矿机和服务器电源市场。尚阳通创建了自主IC品牌SNOWMOS™，产品方向是MOSFET、IGBT、SIC和GaN，其创新和开发能力已经获得市场认同。
值得一提的是，超级结MOSFET及IGBT产品因其设计技术难度高，此前一直都是国内产品短板，工艺制造复杂，存在较高的技术壁垒，特别是IGBT一直被称作为电力电子领域的“CPU”。尚阳通敢“啃硬骨头”，通过技术创新，使核心技术不断提升，争取更多核心元器件国产化，助力国内电力电子产业链的升级和发展。目前尚阳通的SNOWMOS™产品广泛用于新能源汽车充电桩、OBC通讯和服务器、LED TV电视机等。
对于未来尚阳通在超级结MOSFET方面的发展方向上，曾大杰指出，目前超级结MOSFET有两种不同的技术路线，多次外延和深槽刻蚀。前者以英飞凌为代表，后者以东芝为代表。不过在尚阳通看来，未来采用深槽刻蚀的方案会越来越多。曾大杰表示，尚阳通在超级结MOSFET上主要的发展方向，首先是平台化设计，同时也会根据不同的应用，推出不同的产品系列。“我们现在已经推出了第三代超级结MOSFET，未来会推出第四代和第五代，它的Rsp更低，相同导通电阻情况下，成本更好。”此外，在中低压MOSFET产品方面，目前主要有Trench MOSFET和SGT MOSFET两种不同的技术路线，SGT MOSFET其比导通电阻更低，开关速度更快。目前尚阳通已经推出了第二代SGT MOSFET，这一代的性能达到了国际主流水平。
“硅器件和第三代半导体材料未来是竞争关系”
尚阳通在第三代半导体材料GaN和SiC上也已经开始布局。曾大杰介绍，尚阳通目前已经推出了SiC的SBD，后续也会推出相应的MOSFET，同时GaN器件也在研发中。“这些新型的功率器件跟硅器件相比，都有一些固有的缺点，如可靠性和抗雪崩耐量的能力等。”曾大杰指出，而硅器件的成熟性和大规模量产的能力，已经得到了广泛的验证。
“总之，硅器件和第三代半导体未来是竞争关系，这对客户来说是一个好事情，能够有更多的选择空间和余地，挑选出更符合需求的产品。对于原厂来说也是一件好事情，能够督促我们不断进步，推出更符合客户需求的产品。”曾大杰表示。
比如，最近最热门的话题之一，快充。超级结硅技术的快充在能量密度上已经接近GaN。曾大杰介绍，目前硅器件与GaN器件相比，其优势主要是：硅器件更加成熟，其长期可靠性得到了充分的验证，同时基于硅器件的鲁棒性，其抗雪崩耐量的能力也是好于硅器件；硅器件的价格目前也更便宜；目前可以生产硅器件的公司很多，其大规模生产的能力得到了充分验证，而相比之下，GaN器件的产能瓶颈也是一个大问题。因而，在他看来，在未来相当长一段时间硅器件依然会是市场的主流。