-
徐晓华
徐晓华
执行董事 本届任期：2016-05-20 至今
男 42岁 硕士 报酬：133.80万港元
截止日期：--
徐晓华先生,于二零零四年取得中国科学院半导体研究所微电子学与固体电子学硕士学位。徐先......
-
赵建华
赵建华
中国科学院半导体研究所 研究员......
-
郑厚植
郑厚植 院士
中国科学院院士、物理学专家。1942年出生于江苏省。1965年毕业于清华大学无线电电子学系。中国科学院半导体研究所研究员，半导体超晶格国家重点实验 室学术委员会主任，国家“973”计划I......
-
陈良惠
陈良惠 院士
中国工程院院士、半导体光电子学专家。1939年出生于福建省。1963年毕业于复旦大学物理系，同年到中国科学院半导体研究所工作至今。曾任中国科学院半导体研究所副所长，“863”计划光电子主......
-
孙国胜
报告题目：氧化镓外延薄膜生长与日盲紫外光电探测器件
孙国胜（东莞天域半导体科技有限公司，中国科学院半导体研究所，中国）
报告题目：4H-SiC晶片划痕及其对外延生长的影响......
-
李明
副院长
李明
中国科学院半导体研究所
研究员......
-
王鼎盛
王鼎盛
王鼎盛,男，1940年10月生于南川县，中国科学院院士，中国科学院物理研究所工作。
王鼎盛
王鼎盛,男，1940年10月生于南川县，中国科学院院士，中国科学院物理研究所工作。
夏培肃
夏培肃（......
-
王善源
王善源
王善源，原籍福建福州,生于印度尼西亚。微生物学家。专长医学、物理学、数学、电子学、化学，研究工作涉及很多学科领域。１９５７年选聘为中国科学院
王善源 - 基本资料
姓名：王善源
职业：微生物学......
-
王圩
王圩1937年12月25日生，河北文安人。1960年毕业于北京大学物理系半导体专业，同年到中国科学院半导体研究所工作至今，现任中科院半导体研究所研究员。1987年赴日本东京工业大学访问研究一年。60年......
-
王占国
王占国
王占国 个人简介 王占国，男，1938年12月29日生于河南省镇平县。半导体材料和材料物理学家，中科院半导体所研究员，中科学院院士。 1962年毕业......