王圩1937年12月25日生,河北文安人。1960年毕业于北京大学物理系半导体专业,同年到中国科学院半导体研究所工作至今,现任中科院半导体研究所研究员。1987年赴日本东京工业大学访问研究一年。60年代,他率先在国内研制成功无位借硅单晶;参与开拓并负责建立了Ⅲ—V族化合物外延方法,解决了高掺杂和结偏位等关键问题,为使我国GaAs激光器的工作温度从77度K提高到室温作出了贡献:70年代,率先在国内研制成功单异质结室温脉冲大功率激光器和面发射高亮度发光管,成功地应用在夜视、引信、打靶和精密测距仪上,并推广到工厂生产,为后来室温连续工作的短波长双异质结激光器的发展打下了基础。


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